技术方向
主要负责开展大尺寸低缺陷氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料的外延生长制备。重点解决大尺寸外延片稳定性与可靠性问题。同时，对其他宽禁带/超宽禁带半导体材料如氧化镓、金刚石等材料制备开展研究。
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