序号

项目名称

测试指标

1

矢量网络分析仪

对半导体器件和电路在高频频段进行测试，包括器件的频率特性、非线性特性、噪声系数和互调失真系数等重要参数进行测量，频率范围从0.1GHz-60GHz

2

高频在片微波功率测试仪

对高频器件及电路进行功率测试，测试频率范围为8GHz-50GHz，功率范围±23dBm，最大电压60V

3

低频在片微波功率测试仪

对低频器件及电路进行功率测试，测试频率范围为1.8GHz-18GHz，功率范围±23dBm，最大电压60V

4

非接触霍尔测试仪

对外延材料的方块电阻、迁移率、载流子面密度进行测量，可对1英寸至4英寸圆片进行测量

5

稳态-瞬态荧光光谱仪

测试半导体材料的光致发光特性和少子寿命特性，光源：连续氙灯、325nm 激光器、氢灯，稳态波长范围：200nm-900nm，瞬态波长范围：200-400nm，温度：2.6K-400K

6

大功率电路测试仪

直流大功率电路测试：0-750V/0-40A, 10000W；交直流大功率电子负载：4.5KW/45A/350V;高压电压信号测试：最高峰峰值电压6000V；高电流信号测试：150A/20MHz；功率分析仪:60KHz采样频率

7

高功率集成模块测试仪

高精度电压电流测量：最小分辨率10 fA/100 nV；负载切换：最快电流斜率5.0A/us；小功率可编程直流电压、电流源：30V/3A;电压信号测试：采用频率1.5GHz 5GSa/s；电流信号测试：15A peak/50MHz;开关电源环路分析：开关频率10Hz-45MHz

8

罗德与施瓦茨ZVA50网络分析仪

①适用于功率放大器、低噪声放大器、混频器等的线性及非线性测量，测量频率范围覆盖10MHz-50GHz；②高输出功率，功率范围-40dBm-15dBm；动态范围宽，典型值为>140dB；测量速度快，每个测试点测量时间仅需3.5μs；测量带宽达到最高可达1MHz；每个迹线的测试点的数量可达60000；

9

Cascade Summit11000B-M在片测试探针台

用于200mm和150mm晶圆、小尺寸微波射频IC的测试，涉及RF/微波、器件特性描述、晶圆级可靠性测试等项目，测量频率范围最高可达50GHz，可进行高低温测试，配件升级后测试温度范围覆盖-60℃-300℃；探针台测量系统精度0.1um

10

扫描电镜（SEM）测试

利用样品表面材料的物质性能进行微观成像，测试精度可达10 nm

11

投射电镜（TEM）测试

利用样品表面材料的物质性能进行微观成像，测试精度可达0.1nm

12

直流测试系统

对三端器件进行直流IV测试、CV测试、高压测试等，电压范围可达1000 V，电流精度可达10pA

13

台阶测试

对具有台阶样貌的半导体、金属等样品进行高度测量，测量误差<10nm

14

深能级瞬态谱测试

能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态