(1)氮化物超高温型MOCVD外延生长设备

        (2)碳化硅(SiC)外延材料设备

        在碳化硅(SiC)外延材料生长方面，自主研发完成了3-4英寸4H-SiC外延材料生长设备，实现了碳化硅外延生长工艺的优化控制。

        (3)研制Mist-CVD设备

        采用Mist-CVD方法外延生长阿尔法氧化镓单晶薄膜。Mist-CVD方法利用超声波使原料溶液雾化，然后通过传输气体将已雾化的原料传送到反应炉，并在此经过热分解、氧化、还原、置换等一系列反应后在衬底上成膜。整个生长过程可以在空气环境下工作，无需抽真空操作，也不需要特殊、精密的部件。