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序号
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专利名称
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专利号
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授权日期
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发明人
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1
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基于XXX组件的处理xx模块
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201518001992.5
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2018/02/02
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董刚;何建华
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2
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非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法
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201510508722.2
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2018/03/06
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许晟瑞;郝跃;任泽阳;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华
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3
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基于三维石墨烯/氢氧化镍复合电极材料的制备方法
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201610178040.4
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2018/03/06
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王东;宁静;张进成;陆芹;穆美珊;郝 跃
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4
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批量加工晶圆的统计过程控制方法
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201510937567.6
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2018/03/06
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游海龙;田文星;顾凯;贾新章
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5
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二维片上网络拓扑结构的自适应路由方法
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201510342328.6
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2018/03/06
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史江义;舒浩;李钊;马佩军;王禛;吴冰冰;余文哲;张春焱
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6
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基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法
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201510509240.9
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2018/03/06
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许晟瑞;任泽阳;郝跃;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华
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7
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基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法
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201510508696.3
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2018/03/06
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许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;张金风
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8
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基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法
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201510510551.7
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2018/03/06
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许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;牛牧童
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9
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基于InAsN-GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管
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201510490490.2
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2018/03/06
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韩根全;张春福;彭悦;汪银花;张进城;郝跃
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10
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利用截尾样本确定产品合格率的方法
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201410733542.X
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2018/04/17
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游海龙;田文星;顾凯;贾新章
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11
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一种二维环绕网格片上网络的拓扑结构以及路由方法
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201510341674.2
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2018/04/17
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史江义;舒浩;李钊;马佩军;王禛;吴冰冰;余文哲;张春焱
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12
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基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
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201510490482.8
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2018/04/17
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韩根全;张春福;彭悦;汪银花;张进城;郝跃
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13
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GaN基异质结透明薄膜透射电子显微镜截面样品制备方法
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201510995925.9
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2018/05/15
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马晓华;宋芳;雷毅敏;马佩军;钟决坤;王湛
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14
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具有双功能催化的自支撑Ti4O7纳米纤维制备方法
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201610117710.1
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2018/05/15
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雷毅敏;马晓华;李健;王湛;宋芳
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15
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基于石墨烯与磁控溅射氮化铝的硅基氮化镓生长方法
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201610130918.7
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2018/05/15
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张进成;陈智斌;吕佳骐;郝跃
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16
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基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
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201610334076.7
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2018/05/25
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张进成;庞 凯;陈智斌;吕佳骐;朱家铎;许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝跃
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17
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一种二维片上网络的拓扑结构以及路由方法
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201510112474.X
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2018/05/25
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史江义;舒浩;余文哲;马佩军;王禛;吴冰冰;李钊;张春焱
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18
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在石墨烯上基于磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
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201610130981.0
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2018/05/25
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张进成;陈智斌;吕佳骐;郝跃
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19
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基于四苯乙烯聚合物空穴传输层的钙钛矿太阳能电池
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201510644931.X
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2018/06/05
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习鹤;吕玲;唐诗;罗莉;马晓华;张春福;郝跃
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20
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基于空腔结构的双层分形微带射频封装天线
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201510998505.6
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2018/06/05
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董刚;聂晖;熊伟;杨银堂
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21
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基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
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201610333373.X
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2018/06/26
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张进成;朱家铎;陈智斌;庞凯;吕佳骐;许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝跃
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22
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基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
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201610333650.7
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2018/07/06
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张进成;吕佳骐;陈智斌;庞凯;朱家铎;许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝 跃
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23
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基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
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201610334385.4
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2018/07/06
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张进成;陈智斌;庞凯;吕佳骐;朱家铎许晟瑞;林志宇;宁静;张金风;郝跃
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24
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基于氧化锌透明电极的异面型光导开关及其制作方法
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201710153393.3
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2018/07/17
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郭辉;吴建鲁;曹鹏辉;张玉明;张晨旭
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25
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基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关及其制作方法
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201710154172.8
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2018/07/27
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郭辉;曹鹏辉;吴建鲁;张玉明;张晨旭
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26
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不同大小样本均值-标准偏差控制图的统计过程控制方法
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201610023611.7
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2018/07/27
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田文星;游海龙;顾铠;贾新章
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27
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基于GPU加速的非局部平均滤波实时处理方法
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201610370775.7
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2018/08/10
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赖睿;王维;孟灵非;杨银堂;周慧鑫;王炳建;秦翰林
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28
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基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管
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201610020866.8
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2018/08/10
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刘红侠;张丹;陈树鹏;陈安;侯文煜
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29
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基于3DSG/Mn3O4/3DMG非对称超级电容器及制备方法
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201610176835.1
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2018/08/17
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宁静;冯欣;王东;张进成；陆芹;穆美珊;郝跃
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30
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基于水蒸汽的二维过渡金属硫属化合物转移方法
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201610828299.9
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2018/08/21
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马晓华;南瑭；王湛；谢涌；李金金；吴瑞雪；雷毅敏
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31
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基于MATLAB编程的HBT电路芯片温度分析方法
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201510125644.8
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2018/08/24
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吕红亮;王世坤;张义门;张玉明
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32
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基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
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201610446728.6
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2018/08/24
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郝跃;戴显英;梁彬;苗东铭;祁林林;焦帅
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33
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基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
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201610446185.8
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2018/09/11
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戴显英;焦帅;郝跃;吴武健;苗东铭;祁林林;梁彬
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34
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基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法
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201610446252.6
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2018/09/11
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苗东铭;戴显英;郝跃;祁林林;梁彬;焦帅
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35
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基于3DSG/Ni(OH)2/3DMG非对称超级电容器及制备方法
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201610178421.2
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2018/09/11
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陆芹;宁静;王东;张进成;穆美珊;郝跃
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36
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基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
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201610445851.6
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2018/09/11
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苗东铭、戴显英、郝跃、焦帅、祁林林、梁彬
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37
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基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法
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201610446627.9
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2018/09/11
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苗东铭、戴显英、郝跃、祁林林、梁彬、焦帅
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38
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多沟道侧栅结构的绝缘栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
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201510847054.6
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2018/11/16
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王冲;魏晓晓;郑雪峰;何云龙;马晓华;张进成;郝跃
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39
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GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管及制作方法
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201610298297.3
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2018/11/16
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张金风;安阳;黄旭;张进成;郝跃
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40
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基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
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201610445758.5
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2018/11/16
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苗东铭;戴显英;郝跃;焦帅;祁林林;梁彬
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41
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基于斯塔克效应的SOUP结构光电调制器及制作方法
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201610124746.2
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2018/11/20
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张春福;韩根全;彭芮之;郝跃;张进城;冯倩
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42
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基于MOSFET开关动态特性的驱动电路
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201610365021.2
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2018/11/20
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张艺蒙;许耀;宋庆文;汤晓燕;张玉明
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43
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一种dB线性超宽带可变增益放大器
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201610045159.4
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2018/01/05
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李振荣、庄奕琪、庞瑞、刘心彤
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44
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一种两级差动低噪声放大器
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201610044631.2
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2018/08/03
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李振荣、庄奕琪、郝张伟、张超越
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45
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一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器
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201610045158.X
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2018/10/26
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李振荣、庄奕琪、井凯、曾其发
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46
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一种超宽带低噪声高平衡片上有源巴伦
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201610044327.8
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2018/06/26
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李振荣、庄奕琪、权星、邱芳
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47
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基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法
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201610015393.2
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2018/10/23
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杨林安、王晓燕、徐洋、严霏、郝跃
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48
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一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法
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201610150646.7
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2018/06/29
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杨林安、李杨、王少波、郝跃
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49
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量子点敏化太阳能电池TiO2光阳极缺陷的修复方法
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201610585452.X
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2018/01/19
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张茂林、李智敏、李金霖、闫养希、郝跃
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50
|
异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法
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201510540631.7
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2018/09/14
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刘翔宇、胡辉勇、张鹤鸣、宋建军、舒斌、宣荣喜
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51
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GeSn多量子阱金属腔激光器及其制作方法
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201610029805.8
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2018/09/21
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舒斌、范林西、吴继宝、陈景明、张鹤鸣、宣荣喜、胡辉勇、宋建军、王斌
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52
|
垂直层叠应变Si/SiGe异质结CMOS器件结构及其制备方法
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201510411372.8
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2018/03/16
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舒斌、吴继宝、范林西、陈景明、张鹤鸣、宣荣喜、胡辉勇、宋建军、王斌
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53
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氮化硅膜致应变的锗锡中红外LED器件及其制备方法
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201510383479.6
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2018/06/19
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舒斌、陈景明、范林西、吴继宝、张鹤鸣、宣荣喜、胡辉勇、宋建军、王斌
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54
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用于长波光通信的光电探测器及制备方法
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201710074465.5
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2018/03/16
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胡辉勇、吴继宝、舒斌、陶春阳、杨虹、范林西、李露、王斌、张鹤鸣、宣荣喜
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55
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双轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法
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201510511276.0
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2018/03/6
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宣荣喜、腾飞、苗渊浩、张鹤鸣、胡辉勇
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56
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单轴应力施加装置及应变MOS芯片输出特性测试方法
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201510510683.X
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2018/04/03
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宋建军、朱贺、苗渊浩、张鹤鸣、胡辉勇
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57
|
探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法
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201710074466.X
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2018/03/16
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胡辉勇、吴继宝、舒斌、李露、刘伟、范林西、陶春阳、王斌、张鹤鸣、宋建军
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58
|
一种中子探测器性能测试系统
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201820178841.5
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2018/10/30
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郭辉、张晨旭、张玉明、王雨田、黄海栗
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59
|
耐高温碳化硅欧姆接触结构
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201720867869.5
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2018/01/19
|
张艺蒙、张玉明、李彦良、宋庆文、汤晓燕
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60
|
一种SiC欧姆接触结构
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201720867878.4
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2018/03/30
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张艺蒙、张玉明、李彦良、宋庆文、汤晓燕
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61
|
欧姆接触结构
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201720867867.6
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2018/02/23
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张艺蒙、张玉明、李彦良、宋庆文、汤晓燕
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62
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带有双区浮动结的碳化硅UMOSFET器件及制作方法
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201510190692.5
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2018/07/03
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汤晓燕、田瑞彦、宋庆文、张艺蒙、张玉明
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63
|
一种横向导电结构SiC MOSFET功率器件
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201510486076.4
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2018/04/17
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贾仁需、汪钰成、吕红亮、张玉明
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64
|
一种垂直导电结构SiC MOSFET功率器件
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201510486184.1
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2018/07/31
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贾仁需、汪钰成、吕红亮、张玉明
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65
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一种低导通电阻的SiC IGBT及其制备方法
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201410428862.4
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2018/03/27
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宋庆文、周婷、王悦湖、汤晓燕、张艺蒙、张玉明
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66
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一种基于碳基复合电极的高温SiC JFET器件
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201510490789.8
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2018/04/20
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张艺蒙、唐美艳、宋庆文、汤晓燕
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67
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带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法
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201410166459.9
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2017/12/22
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宋庆文、蒋明伟、汤晓燕、张艺蒙、贾仁需、王悦湖、张玉明
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68
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具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件
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201410166403.3
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2017/12/01
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宋庆文、杨帅、汤晓燕、张艺蒙、贾仁需、张玉明、王悦湖
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69
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一种高温碳化硅功率器件封装结构及其制备方法
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201410339911.7
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2017/12/29
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张艺蒙、李家昌、宋庆文、王悦湖、张玉明、汤晓燕、贾仁需
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70
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基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法
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201611123708.1
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2018/11/27
|
贾仁需、刘银涛、汪钰成、庞体强、张玉明
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71
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基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法
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201611122943.7
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2018/11/27
|
贾仁需、刘银涛、汪钰成、庞体强、张玉明
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72
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Method for Preparing Structured Graphene on SiC Substrate Based on Cl2Reaction
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US9,951,418B2
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2018/04/24
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郭辉;张克基;张玉明;邓鹏飞;雷天民;张凤祁
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