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专利名称
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申请号
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授权日
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发明人
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利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法
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CN201810315132.1
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2020-01-07
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陆小力;姚会娟;王涛;黄玉瑶;吴飞虎;张进成;郝跃
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全MOS基准电流产生电路
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CN201811366488.4
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2020-01-07
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李振荣;段艺明;王泽渊;刘博宇;周永升;庄奕琪
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一种具有多凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
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CN201710166438.0
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2020-01-10
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贾护军;吴秋媛;杨银堂;柴常春
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高功率PiN二极管及其制备方法
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CN201710313396.9
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2020-01-10
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王斌;史小卫;李露;苏汉;胡辉勇;舒斌;宣荣喜
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固态等离子PIN二极管
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CN201710313883.5
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2020-01-10
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王斌;胡辉勇;陶春阳;苏汉;史小卫;舒斌;郝敏如
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InAs/AlSb HEMT及MOS-HEMT器件的制备方法
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CN201710364157.6
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2020-01-10
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吕红亮;张静;杨施政;张义门;张玉明
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晶圆级异质集成高频系统及其制作方法
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CN201810186672.4
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2020-01-14
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马晓华;郝跃;易楚朋;祝杰杰;赵子越
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基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
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CN201610446184.3
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2020-01-31
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戴显英;祁林林;郝跃;底琳佳;苗东铭;梁彬;焦帅
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基于软表面结构的贴片阵列天线
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CN201710720024.8
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2020-01-31
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董刚;余森;杨银堂
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Ga2O3薄膜晶体管的制备方法
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CN201711153166.7
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2020-01-31
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张春福;许育;张进成;郝跃;常晶晶;于雪婷;吴艺聪;张力鑫
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柔性二硫化钼光电晶体管及其制备方法
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CN201811181410.5
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2020-01-31
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林珍华;常晶晶;张冰娟;苏杰;郝跃
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基于h-BN电子阻挡层的高效深紫外发光二极管及制备方法
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CN201811421097.8
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2020-01-31
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周小伟;王燕丽;吴金星;李培咸;许晟瑞;马晓华;郝跃
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SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法
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CN201610486996.0
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2020-02-07
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吴翼飞;宋建军;宣荣喜;蒋道福;胡辉勇;张鹤鸣
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基于Ga2O3材料的帽层复合双栅PMOSFET及其制备方法
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CN201611122956.4
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2020-02-07
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贾仁需;张弘鹏;元磊;张玉明
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一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管
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CN201710157716.6
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2020-02-07
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段宝兴;曹震;师通通;吕建梅;袁嵩;杨银堂
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一种射频能量采集电路中的π型阻抗自动匹配系统及方法
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CN201710267102.3
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2020-02-07
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李小明;庄奕琪;汪坤;王少龙;刘伟峰;彭琪
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SiC欧姆接触结构及其制作方法
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CN201710583808.0
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2020-02-07
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张艺蒙;李彦良;张玉明;宋庆文;汤晓燕
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基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET及其制备方法
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CN201611123674.6
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2020-02-14
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元磊;张弘鹏;贾仁需;张玉明
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基于层错的三维光片上网络架构、通信方法及光路由器
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CN201710577587.6
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2020-02-14
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郭雅楠;顾华玺;杨银堂;朱樟明;谭伟;黄蕾
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采用电荷泵的功率场效应管的驱动电路
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CN201710693910.6
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2020-02-14
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张艺蒙;刘金金;吕红亮;宋庆文;汤晓燕
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Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法
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CN201811082940.4
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2020-02-14
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舒斌;张利锋;高玉龙;胡辉勇;王斌;王利明;韩本光;张鹤鸣
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一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路
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CN201811401810.2
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2020-02-18
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刘帘曦;田宇渊;廖栩锋;黄文斌;朱樟明
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一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法
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CN201710235790.5
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2020-02-18
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吕红亮;赵曼丽;赵小红;张义门;张玉明
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基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器及其制备方法
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CN201710412534.9
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2020-02-18
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贾仁需;董林鹏;栾苏珍;庞体强;张玉明;汪钰成;刘银涛
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耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法及其结构
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CN201710583819.9
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2020-02-18
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张艺蒙;张玉明;李彦良;宋庆文;汤晓燕
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T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管
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CN201610298895.0
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2020-02-21
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张金风;黄旭;安阳;张进成;郝跃
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一种纵向沟道的SiC结型栅双极型晶体管及其制备方法
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CN201611210305.0
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2020-02-21
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宋庆文;刘思成;汤晓燕;元磊;张艺蒙;张玉明
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氮化镓基增强耗尽型电平转换电路
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CN201710190382.2
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2020-02-21
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马晓华;张蓉;罗卫军;季子路
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基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器
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CN201810315148.2
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2020-02-21
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陆小力;王贺;史泽堃;王涛;姚会娟;张进成;郝跃
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混合电容翻转技术控制SAR ADC电平开关方法
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CN201810508691.4
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2020-02-21
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汤华莲;陈宇石;庄奕琪;张丽;许蓓蕾;李振荣
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基于4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制造方法
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CN201710420544.7
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2020-03-24
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贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博
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蓝宝石衬底的Fe掺杂自旋场效应晶体管及其制造方法
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CN201710421135.9
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2020-03-24
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贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博
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弧形栅-漏复合场板电流孔径异质结器件
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CN201710197666.4
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2020-04-14
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毛维;王海永;彭紫玲;郝跃
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浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法
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CN201710198226.0
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2020-04-14
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毛维;边照科;王海永;郝跃;马晓华;杨眉;吕玲;祝杰杰
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基于弧形源场板和弧形漏场板的垂直型功率器件及其制作方法
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CN201710198230.7
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2020-04-14
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毛维;石朋毫;边照科;郝跃
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基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法
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CN201710198826.7
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2020-04-14
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毛维;边照科;丛冠宇;郝跃;王冲;张进成;曹艳荣
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源-漏复合场板垂直型电力电子器件
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CN201710197668.3
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2020-04-14
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毛维;丛冠宇;郝跃;杜鸣;张金风
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基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法
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CN201710198830.3
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2020-04-14
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毛维;杨翠;艾治州;郝跃;郑雪峰
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基于OpenCL标准的卷积神经网络加速方法
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CN201710543986.0
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2020-04-14
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王树龙;殷伟;刘而云;刘红侠;杜守刚
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一种柔性瞬态硅薄膜光电晶体管及制作方法
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CN201810893511.9
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2020-04-14
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陈大正;张春福;张家祺;杜丰羽;林珍华;常晶晶;习鹤;张进成;郝跃
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一种MSM结构的柔性瞬态硅薄膜光电探测器
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CN201810893495.3
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2020-04-14
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张春福;陈大正;杜丰羽;张家祺;常晶晶;林珍华;习鹤;张进成;郝跃
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n型AlGaN层调制掺杂的高效紫外发光二极管及制备方法
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CN201811328759.7
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2020-04-14
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周小伟;王燕丽;吴金星;张心禹;李培咸;许晟瑞;孟锡俊;马晓华;郝跃
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基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管
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CN201710558132.X
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2020-04-28
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祝杰杰;马晓华;刘捷龙;陈丽香
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一种用于CMOS带隙基准的分段线性补偿电路
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CN201811526769.1
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2020-04-28
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刘帘曦;云梦晗;廖栩锋;沐俊超;朱樟明
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一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
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CN201710158895.5
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2020-05-01
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段宝兴;吕建梅;曹震;袁嵩;杨银堂
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一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
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CN201710157056.1
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2020-05-01
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段宝兴;吕建梅;袁嵩;曹震;杨银堂
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一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管
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CN201710812418.6
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2020-05-01
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段宝兴;董自明;杨银堂
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一种阶梯高K介质层元素纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管
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CN201710844659.9
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2020-05-01
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段宝兴;谢丰耘;赵逸涵;曹震;杨银堂
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一种阶梯高K介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管
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CN201710844705.5
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2020-05-01
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段宝兴;谢丰耘;赵逸涵;曹震;杨银堂
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一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管
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CN201710866946.X
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2020-05-01
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段宝兴;张琛;袁嵩;吕建梅;赵逸涵;杨银堂
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基于浮空源场板和浮空漏场板的垂直型异质结场效应器件
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CN201710197645.2
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2020-05-05
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毛维;石朋毫;杜鸣;郝跃;张进成
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分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法
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CN201710198228.X
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2020-05-05
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毛维;丛冠宇;杜鸣;郝跃;张金风;林志宇
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一种具有自动阻抗匹配功能的无源超高频射频识别标签
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CN201710267093.8
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2020-05-08
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李小明;庄奕琪;汪坤;王少龙;刘伟峰;彭琪
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一种基于4H-SiC衬底的单片集成紫外光接收机前端放大电路
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CN201410276761.X
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2020-05-12
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张军琴;崔瑜强;李娅妮
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SiC双槽UMOSFET器件及其制备方法
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CN201710210728.0
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2020-05-12
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汤晓燕;张玉明;陈辉;宋庆文;张艺蒙
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基于Cr掺杂4H-SiC衬底异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
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CN201710848515.0
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2020-05-12
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贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博
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平面型光电探测器及其制备方法
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CN201710848508.0
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2020-05-12
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贾仁需;庞体强;栾苏珍;张玉明;汪钰成;刘银涛
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Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法
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CN201710421686.5
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2020-05-22
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贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博
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基于稳态防漏电保护和电流沉控制技术的电荷泵电路
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CN201710235977.5
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2020-05-26
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吕红亮;武岳;唐铭浩;张玉明;张义门
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HEMT器件及其制备方法
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CN201711138236.1
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2020-05-26
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吕红亮;张静;赵小红;张玉明;张义门
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基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法
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CN201610424039.5
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2020-06-05
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蒋道福;宋建军;苗渊浩;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣
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一种Ge基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
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CN201611187742.5
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2020-06-05
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胡辉勇;苏汉;王策;张鹤鸣;王斌;舒斌;宋建军;宣荣喜;朱翔宇
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一种自供电双波段紫外光电探测器件及其制备方法
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CN201810900339.5
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2020-06-05
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贾仁需;杨茜;董林鹏;余建刚
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基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法
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CN201610488045.7
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2020-06-09
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蒋道福;宋建军;苗渊浩;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣
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SiGe-Si-SiGe异质Ge基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件
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CN201611188525.8
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2020-06-09
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王斌;苏汉;康海燕;胡辉勇;杨佳音;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜;郝敏如
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异质SiGe基固态等离子体PiN二极管的制备方法及其器件
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CN201611188527.7
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2020-06-09
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胡辉勇;苗渊浩;崔诗敏;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜;苏汉
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AlAs-Ge-AlAs结构的基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
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CN201611188557.8
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2020-06-09
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王斌;陶春阳;阎毅强;宣荣喜;张鹤鸣;宋建军;舒斌;康海燕
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肖特基接触注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法
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CN201710466243.8
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2020-06-09
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张玉明;姜珊;张艺蒙;宋庆文;汤晓燕
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集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件
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CN201810723450.1
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2020-06-09
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汤晓燕;陈辉;张玉明;宋庆文;张艺蒙
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一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法
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CN201810811349.1
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2020-06-09
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杨凌;马晓华;芦浩;宓珉翰;周小伟;侯斌;祝杰杰;郝跃
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基于硅通孔的衬底集成折叠波导滤波器及其制备方法
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CN201811427622.7
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2020-06-09
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朱樟明;曲晨冰;刘阳;刘晓贤;卢启军;尹湘坤
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一种数字模拟双环路低压差线性稳压器
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CN201811575074.2
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2020-06-09
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刘帘曦;陈逸伟;贺磊;廖栩锋;朱樟明
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基于液态镓铟合金的可重构天线振子及可重构天线
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CN201910377009.7
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2020-06-09
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王斌;王伟;胡辉勇;董国栋;史小卫;王利明;韩本光
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一种实现OFDM雷达通信信号一体化的方法和多载波系统
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CN201710170730.X
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2020-06-12
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张华;李聪;许录平;杨玉;程鹏飞;赵闻博;张洪阳;陈俊如;刘立;王光敏;孙景荣
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一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管
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CN201710157394.5
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2020-06-16
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段宝兴;曹震;师通通;袁嵩;杨银堂
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复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管
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CN201710198229.4
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2020-06-16
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毛维;杨翠;马佩军;郝跃
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一种具有复合介质层纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
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CN201710623812.5
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2020-06-16
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段宝兴;曹震;吕建梅;师通通;杨银堂
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一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
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CN201710623838.X
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2020-06-16
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段宝兴;曹震;吕建梅;师通通;杨银堂
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具有复合介质层纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
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CN201710624384.8
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2020-06-16
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段宝兴;曹震;师通通;吕建梅;杨银堂
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具有复合介质层宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
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CN201710624383.3
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2020-06-16
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段宝兴;曹震;师通通;吕建梅;杨银堂
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可变增益放大器
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CN201711068705.7
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2020-06-16
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李振荣;王卓逸;庄奕琪;刘心彤
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基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法
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CN201810218102.9
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2020-06-16
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张进成;许新鹏;陈智斌;宁静;王东;郝跃
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一种固态等离子体PiN二极管及其制备方法
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CN201611187763.7
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2020-06-19
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王斌;苏汉;张鹤鸣;王禹;胡辉勇;舒斌;宋建军;宣荣喜;苗渊浩
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一种SiGe基固态等离子体PiN二极管及其制备方法
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CN201611187942.0
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2020-06-19
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胡辉勇;苏汉;卢少锋;张鹤鸣;舒斌;宋建军;宣荣喜;王禹
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基于非对称型差分电容阵列的逐次逼近型模数转换器
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CN201710483554.5
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2020-06-19
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梁鸿志;丁瑞雪;刘术彬;朱樟明;杨银堂
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基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法
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CN201810900370.9
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2020-06-19
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贾仁需;董林鹏;余建刚;杨茜
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基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法
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CN201810900333.8
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2020-06-19
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贾仁需;余建刚;董林鹏;杨茜
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基于(AlxGa1-x)2O3材料的双波段紫外光电探测器及其制备方法
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CN201810900315.X
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2020-06-19
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贾仁需;董林鹏;余建刚;杨茜
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一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法
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CN201810900367.7
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2020-06-19
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贾仁需;余建刚;董林鹏;杨茜
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一种基于延迟锁相环的时间数字转换器
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CN201811126007.2
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2020-06-19
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丁瑞雪;郝康;马瑞;孙德鹏;张玮;朱樟明;杨银堂
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一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管
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CN201710866957.8
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2020-06-26
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段宝兴;张琛;袁嵩;曹震;赵逸涵;师通通;杨银堂
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一种制作T型栅结构的电子束光刻方法
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CN201711091798.5
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2020-06-26
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张鹏;杨眉;马晓华;郝跃;武盛
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具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法
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CN201910080209.6
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2020-06-26
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段宝兴;王彦东;黄芸佳;杨银堂
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基于自适应核回归的全变分图像噪声消除方法
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CN201810110225.0
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2020-06-30
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赖睿;莫一过;肖鹤玲;徐昆然;官俊涛
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一种异质结薄膜光伏器件的制备方法
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CN201811232412.2
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2020-06-30
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仲鹏;陈新鹏;马晓华;贾巧英;习鹤
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一种基于CuInSe2/MXene纳米复合材料的海水淡化结构
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CN201910458003.2
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2020-06-30
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仲鹏;王腾;王玉;刘媛;张兴茂;支元宏;马晓华
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一种射频能量采集电路中的L型阻抗匹配系统及方法
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CN201710266417.6
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2020-07-07
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李小明;庄奕琪;汪坤;王少龙;刘伟峰;彭琪
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单晶金刚石的扩径生长方法
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CN201710805891.1
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2020-07-07
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任泽阳;张金风;陈万娇;张进成;郝跃
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基于智能剥离技术制备异质(Ga1-xAlx)2O3的方法
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CN201710828652.8
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2020-07-10
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韩根全;王轶博;刘艳;郝跃
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注入增强型SiC PNM-IGBT器件及其制备方法
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CN201710466252.7
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2020-07-17
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汤晓燕;姜珊;宋庆文;张艺蒙;张玉明
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一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法
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CN201810811137.3
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2020-07-17
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马晓华;杨凌;芦浩;祝杰杰;周小伟;侯斌;宓珉翰;郝跃
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一种生物阻抗测量系统
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CN201810957746.X
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2020-07-17
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应思宇;李栋;朱樟明;刘马良;马瑞
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一种毫米波模拟采样前端电路
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CN201811558023.9
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2020-07-17
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刘马良;曹旭;朱樟明;陈龙;杨凡
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一种具有门控使能功能的时间数字转换器
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CN201811639048.1
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2020-07-17
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刘马良;刘秉政;朱樟明;马瑞
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一种基于同轴硅通孔的可配置三维微波滤波器
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CN201910123529.5
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2020-07-17
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尹湘坤;朱樟明;杨银堂;李跃进;丁瑞雪
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饱和检测电路及基于自动增益管理的无线收发机
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CN201910315019.8
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2020-07-17
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朱樟明;黄胜;刘术彬;周荣;刘帘曦;郝俊艳
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InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法
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CN201710074260.7
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2020-07-24
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蒋道福;宋建军;任远;宣荣喜;胡辉勇;舒斌;张鹤鸣
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一种智能焊台系统
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CN201921211180.2
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2020-07-28
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张弘;董田;王蕾;陈睿;于丁
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应变GeSn NMOS器件及其制备方法
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CN201711112559.3
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2020-07-31
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张洁;宋建军;任远;胡辉勇;宣荣喜;舒斌;张鹤鸣
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基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法
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CN201711017958.1
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2020-07-31
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张金风;刘俊;任泽阳;陈万娇;张进成;郝跃
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基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法
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CN201810906340.9
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2020-07-31
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王悦湖;张菊;王雨田;张玉明;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙
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一种应用于高分辨率时间数字转换器的整数周期测量电路
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CN201811013728.2
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2020-07-31
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马瑞;郝康;丁瑞雪;朱樟明;刘马良;杨银堂
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一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管
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CN201910181488.5
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2020-07-31
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刘马良;刘秉政;马瑞;朱樟明;杨银堂
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基于硅通孔热应力的电路时序优化方法
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CN201710587116.3
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2020-08-04
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董刚;袁晔;杨银堂
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基于渐变漂移区的耐高压GaN基JBS二极管及其制作方法
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CN201711187853.0
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2020-08-04
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张进成;宋豫秦;郝跃;党魁;张涛;边照科
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CMOS相位插值数控振荡器
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CN201810217928.3
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2020-08-04
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靳刚;武斯涵;庄奕琪;鹿凝辉;李聪;汤华莲;李振荣
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基于范德华外延获得大面积高质量柔性自支撑单晶氧化物薄膜的方法
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CN201810315141.0
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2020-08-04
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陆小力;王涛;吴飞虎;王贺;黄玉瑶;张进成;郝跃
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用于动态比较器的失调电压校正电路
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CN201811450107.0
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2020-08-04
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汤华莲;尹文倩;李聪;张丽;许蓓蕾
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基于氧化铝材料内嵌纳米晶的铁电场效应晶体管及制备方法
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CN201811565026.5
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2020-08-04
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韩根全;彭悦;朱明璋;张春福;张进成;郝跃
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基于铁电极化效应的紫外发光二极管及制备方法
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CN201910323208.X
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2020-08-04
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许晟瑞;王学玮;范晓萌;张雅超;刘大为;张进成;李培咸;郝跃
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基于等离子体-光交换模块的片上光交换结构
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CN201910618044.3
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2020-08-04
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张景尧;顾华玺;朱樟明;杨银堂;李慧
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一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法
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CN201811475968.4
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2020-08-07
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李跃进;史阳楠;高成楠;王松松;卢启军
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一种超宽带射频前端接收电路
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CN201910477568.5
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2020-08-07
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刘马良;罗朋;朱樟明;杨银堂
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基于P-GaN帽层和浮空金属环的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件
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CN201910487615.4
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2020-08-07
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王冲;刘凯;马晓华;郑雪峰;何云龙;郝跃
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一种应用于单光子雪崩二极管的快速有源淬灭电路
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CN201910528611.6
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2020-08-07
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刘马良;刘秉政;黎雄政;胡进;朱樟明;杨银堂
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超宽带低噪声放大器
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CN201711068702.3
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2020-08-11
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李振荣;刘爽;庄奕琪;张超越
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一种三合一复合自驱动的光电探测器及其制备方法
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CN201811181613.4
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2020-08-11
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常晶晶;林珍华;黄相平;郝跃
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一种光电热电复合自驱动的光电探测器及其制备方法
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CN201811181611.5
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2020-08-11
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常晶晶;林珍华;黄相平;郝跃
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一种基于同轴硅通孔的三维集成无源滤波器
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CN201910123530.8
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2020-08-11
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尹湘坤;朱樟明;杨银堂;李跃进;丁瑞雪
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一种应用于生物神经信号处理的可重构SS/SAR ADC
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CN201910310406.2
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2020-08-11
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朱樟明;华羽峰;王静宇;刘术彬
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一种检测开关电路及其无线收发机的测试电路
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CN201910314299.0
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2020-08-11
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朱樟明;黄胜;刘术彬;周荣;刘帘曦;郝俊艳
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垂直型的高压MOSFET器件及制作方法
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CN201910429877.5
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2020-08-11
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冯倩;蔡云匆;封兆青;胡壮壮;张春福;周弘;张进成
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GaN/AlGaN横向超级结二极管及其制作方法
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CN201711187865.3
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2020-08-18
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张进成;宋豫秦;郝跃;党魁;张涛;边照科
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基于磁电复合薄膜的柔性磁场强度传感器
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CN201810315143.X
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2020-08-18
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陆小力;吴飞虎;史泽堃;王贺;黄玉瑶;张进成;郝跃
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一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
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CN201710020055.2
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2020-08-21
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段宝兴;谢慎隆;郭海君;袁嵩;杨银堂
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一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
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CN201710021096.3
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2020-08-21
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段宝兴;郭海君;谢慎隆;袁嵩;杨银堂
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高K介质沟槽横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法
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CN201711436192.0
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2020-08-21
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段宝兴;曹震;王彦东;董自明;杨银堂
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高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法
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CN201711437748.8
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2020-08-21
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段宝兴;曹震;师通通;杨鑫;杨银堂
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高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法
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CN201711436198.8
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2020-08-21
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段宝兴;曹震;杨鑫;谢丰耘;杨银堂
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集成肖特基二极管的U型源槽VDMOSFET器件
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CN201810723449.9
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2020-08-21
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汤晓燕;陈辉;张玉明;宋庆文;张艺蒙
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一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法
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CN201811018296.4
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2020-08-21
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马晓华;王瑜;郝跃;武玫;马佩军
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一种基于转移技术的高导热N面GaN外延结构及制作方法
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CN201811018286.0
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2020-08-21
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马晓华;武玫;郝跃;王瑜;马佩军
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一种基于硅通孔的紧凑嵌套电感结构及其制备方法
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CN201811426279.4
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2020-08-21
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朱樟明;曲晨冰;刘阳;刘晓贤;卢启军;尹湘坤
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具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法
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CN201910079714.9
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2020-08-21
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段宝兴;王彦东;黄芸佳;杨银堂
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一种GaN器件电应力可靠性的测试方法
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CN201910095705.9
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2020-08-21
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郑雪峰;马晓华;陈管君;王小虎;董帅帅;郝跃
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一种无线收发机的校正电路
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CN201910314313.7
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2020-08-21
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朱樟明;黄胜;刘术彬;周荣;刘帘曦;郝俊艳
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一种基于机器学习的RFID应答信号解码系统及方法
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CN201910636561.3
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2020-08-21
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彭琪;林祥川;李小明;包军林;刘伟峰;庄奕琪
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具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法
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CN201910754054.X
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2020-08-21
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段宝兴;王夏萌;杨鑫;张一攀;杨银堂
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基于SIW结构的Ka波段小型化滤波天线
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CN201910619752.9
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2020-08-25
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董刚;旷丁丁;杨银堂
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一种基于HEMT器件的开关结构
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CN201811002463.6
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2020-08-28
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郑雪峰;王士辉;陈轶昕;陈管君;马晓华;郝跃
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基于延迟锁相环的两步式混合结构SAR TDC的模数转换器电路
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CN201910002921.4
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2020-08-28
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朱樟明;章成;刘术彬;丁瑞雪;刘帘曦
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基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法
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CN201611188578.X
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2020-09-01
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王斌;杨佳音;张鹤鸣;郝敏如;胡辉勇;宋建军;舒斌;宣荣喜;苏汉
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基于电荷再分配的高速逐次逼近型模数转换器
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CN201710483598.8
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2020-09-01
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丁瑞雪;梁鸿志;刘术彬;赵宏亮;朱樟明;杨银堂
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一种DAC反馈电流补偿电路及Sigma Delta调制器
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CN201910049490.7
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2020-09-01
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朱樟明;常科;刘术彬;丁瑞雪;刘帘曦;杨银堂
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具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
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CN201810398867.5
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2020-09-04
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李聪;闫志蕊;庄奕琪;赵小龙;郭嘉敏
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优化的L型隧穿场效应晶体管及其制备方法
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CN201810398738.6
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2020-09-04
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李聪;闫志蕊;庄奕琪;赵小龙;郭嘉敏
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p-BN/i-AlGaN/n-AlGaN的紫外探测器及制作方法
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CN201811447507.6
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2020-09-04
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周小伟;吴金星;王燕丽;李培咸;许晟瑞;马晓华;郝跃
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一种基于空心阳极结构的肖特基二极管及其制备方法
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CN201811564501.7
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2020-09-04
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杨林安;严霏;马遥;马晓华;郝跃
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抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法
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CN201710388322.1
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2020-09-08
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刘红侠;杜守刚;王树龙;王倩琼
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异质结阻变存储器及其制备方法
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CN201710411588.3
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2020-09-08
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贾仁需;董林鹏;栾苏珍;庞体强;张玉明;汪钰成;刘银涛
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Mn掺杂异质结自旋场效应晶体管的制备方法
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CN201710421218.8
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2020-09-08
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贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博
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欧姆接触结构制备工艺及结构
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CN201710583815.0
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2020-09-08
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张艺蒙;李彦良;张玉明;宋庆文;汤晓燕
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高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法
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CN201710852545.9
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2020-09-08
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贾仁需;杨宇;元磊;张玉明;彭博
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GaN基JBS与超级结混合结构二极管及其制作方法
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CN201711187876.1
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2020-09-08
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张进成;宋豫秦;郝跃;党魁;张涛;边照科
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一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法
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CN201810592174.X
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2020-09-08
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贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强
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基于(InxGa1-x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法
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CN201810900497.0
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2020-09-08
|
贾仁需;余建刚;元磊;张弘鹏
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一种混合型模数转换器及其量化方法
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CN201810901315.1
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2020-09-08
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丁瑞雪;林汉超;郝康;刘术彬;党力;朱樟明;杨银堂
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基于电荷再分配的超低功耗逐次逼近型模数转换器
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CN201811095466.9
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2020-09-08
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刘术彬;韩昊霖;阮予;丁瑞雪;朱樟明;杨银堂
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一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法
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CN201811088560.1
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2020-09-08
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吕玲;严肖瑶;习鹤;曹艳荣;马晓华;张进成
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基于纳米球掩模的低欧姆接触GaN基HEMT制备方法
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CN201910016393.8
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2020-09-08
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张进成;张燕妮;周弘;林志宇;封兆青;肖明;宁静;郝跃
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应变型氧化镓MOSFET器件结构及制备方法
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CN201910430611.2
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2020-09-08
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冯倩;田旭升;张进成;周弘;张春福
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基于锗硅异质结和双栅工艺的少掺杂隧穿场效应晶体管及制作方法
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CN201910518172.0
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2020-09-08
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刘红侠;韩涛
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一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
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CN201810952687.7
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2020-09-11
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贾护军;仝宜波;李涛;朱顺威;胡梅;赵玥阳;杨银堂
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低压自调制可变增益放大器电路及混合集成电路
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CN201710715484.1
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2020-09-15
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李娅妮;王旭;朱樟明;陈弘
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斩波仪表放大器的直流失调校准电路
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CN201810466267.8
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2020-09-15
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刘帘曦;华天源;张怡;沐俊超;朱樟明
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基于非极性InAlN/GaN异质结构的辐照探测器及其制备方法
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CN201810946004.7
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2020-09-15
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张雅超;张涛;任泽阳;张进成;郝跃
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基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
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CN201910054769.4
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2020-09-15
|
张雅超;马晓华;张涛;任泽阳;张进成;郝跃
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|
一种基于功率管理的无线收发机
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CN201910315021.5
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2020-09-15
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朱樟明;郝俊艳;黄胜;刘术彬;周荣;刘帘曦
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|
一种耦合谐振滤波器的构建方法
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CN201811000117.4
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2020-09-18
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李跃进;王松松;高成楠;史阳楠;卢启军
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|
基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法
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CN201810592160.8
|
2020-09-22
|
贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强
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|
基于ScAlN/AlGaN超晶格p型层的高效发光二极管及制备方法
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CN201810801746.0
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2020-09-22
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许晟瑞;范晓萌;王学炜;郝跃;张进成;李培咸;马晓华;毕臻;周小伟
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一种低温漂带隙基准电压电路、方法及其芯片
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CN201811295320.9
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2020-09-22
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朱光前;张启东;杨银堂
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|
一种基于同轴硅通孔阵列的互补型三维宽带电容器
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CN201910120598.0
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2020-09-22
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尹湘坤;朱樟明;杨银堂;李跃进;丁瑞雪
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基于二进制权重电荷再分配的逐次逼近型模数转换器
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CN201710482069.6
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2020-09-25
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丁瑞雪;梁鸿志;刘术彬;马汉武;朱樟明;杨银堂
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低功耗反馈型功率放大电路
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CN201711100448.0
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2020-09-25
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吕红亮;李少军;张艳松;张义门;张玉明;武岳
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基于非对称型差分电容阵列的逐次逼近型模数转换器
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CN201711247331.5
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2020-09-25
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朱樟明;于哲;刘术彬;丁瑞雪
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雾化辅助CVD薄膜沉积方法
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CN201811587319.3
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2020-09-25
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龚恒翔;冯倩;郝跃;廖飞;杨专青;马五吉
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HEMT器件及其制备方法
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CN201810461440.5
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2020-10-02
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马晓华;郝跃;陈丽香;祝杰杰;刘捷龙
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一种基于卷积神经网络的多焦点图像融合方法
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CN201810952964.4
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2020-10-02
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赖睿;李永薛;李跃进;官俊涛;徐昆然;李奕诗;王东
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一种基于玻璃通孔的三维集成滤波器
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CN201910796834.0
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2020-10-09
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刘阳;刘晓贤;卢启军;尹湘坤;朱樟明;杨银堂
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基于阻尼因子频率补偿和直流失调消除的三级运算放大器
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CN201811131866.0
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2020-10-09
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王静宇;华羽峰;朱樟明;刘术彬;杨银堂
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一种双层堆叠式差分微波宽阻带带通滤波器结构
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CN201811474903.8
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2020-10-09
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刘晓贤;朱樟明;刘阳;卢启军;尹相坤;杨银堂
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无掺杂的L形隧穿场效应晶体管及其制备方法
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CN201910224881.8
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2020-10-09
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李聪;郭嘉敏;庄奕琪;闫志蕊;刘伟峰;李振荣;汤华莲
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一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管
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CN201910459143.1
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2020-10-09
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宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫;何晓宁
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具有部分碳化硅/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法
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CN201910754051.6
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2020-10-13
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段宝兴;王夏萌;杨鑫;张一攀;杨银堂
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具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法
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CN201910754063.9
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2020-10-13
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段宝兴;王夏萌;杨鑫;孙李诚;张一攀;杨银堂
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一种高比容量富锂锰正极材料的制备方法
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CN201711078593.3
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2020-10-16
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李智敏;李高锋;宁涛;张茂林;张东岩;闫养希;郝跃
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一种异质结双极晶体管非电离能量损失的计算方法
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CN201710235868.3
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2020-10-20
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吕红亮;赵小红;赵曼丽;张义门;张玉明
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基于CCD相机的抑制外差探测中退相干效应的装置和方法
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CN201810798530.3
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2020-10-20
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刘宇韬;曹长庆;曾晓东;吴晓鹏;冯喆珺;崔善波;丁俊豪;张文静
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一种逐次逼近型数模转换器
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CN201811095436.8
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2020-10-20
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刘术彬;韩昊霖;阮予;丁瑞雪;朱樟明;杨银堂
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一种逐次逼近型模数转换器
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CN201910305819.1
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2020-10-20
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朱樟明;李哲;张延博;刘术彬;丁瑞雪;刘马良
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随机抽样一致性的图像匹配去噪处理系统及方法
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CN201710902341.1
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2020-10-23
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刘红侠;张玄
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基于有源和无源相结合的X波段5位移相器
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CN201711144230.5
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2020-10-23
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李振荣;曾其发;庄奕琪;吴泓江
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渐变组分漂移层垂直型功率二极管及其制作方法
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CN201810321820.9
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2020-10-23
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毛维;丛冠宇;彭紫玲;张进成;郝跃
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用于25GHz以下频段通信系统的功率合成分配器
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CN201811366668.2
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2020-10-23
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李振荣;周永升;李臻;朱彪彪;马凯;庄奕琪
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一种基于异步复位的应用于TADC的时间数字转换器
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CN201910458024.4
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2020-10-23
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刘马良;刘海珠;曹旭;朱樟明;杨银堂
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基于迭代算法的芯片温度分析方法
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CN201710259562.1
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2020-10-30
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吕红亮;武岳;李少军;张玉明;张义门;杨施政
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高击穿电压的肖特基二极管及其制作方法
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CN201910430622.0
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2020-11-03
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冯倩;张涛;张进成;周弘;张春福;胡壮壮;封兆青;蔡云匆
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具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
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CN201810320962.3
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2020-11-06
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段宝兴;黄芸佳;王彦东;杨鑫;孙李诚;杨银堂
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一种多通道数模转换器
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CN201910055390.5
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2020-11-06
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刘马良;朱海鹏;朱樟明;杨银堂
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一种非理想效应抑制的自适应恒定导通时间控制器
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CN201910785964.4
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2020-11-10
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刘帘曦;孙梦娜;陈成;黄文斌;廖栩锋
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一种振幅控制电路及电感电容压控振荡器电路
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CN201710812708.0
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2020-11-10
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朱樟明;黄胜;刘术彬;杨银堂
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基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法
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CN201810689886.3
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2020-11-10
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宁静;张弛;王东;张进成;沈雪;陈智斌;马佩军;郝跃
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数字辅助锁定电路
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CN201810723217.3
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2020-11-10
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朱樟明;周荣;刘术彬;黄胜;刘帘曦
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一种非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法
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CN201810945840.3
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2020-11-10
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张雅超;张涛;任泽阳;张进成;郝跃
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一种自动化ECG测量系统
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CN201810994827.7
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2020-11-10
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李栋;应思宇;朱樟明;刘马良;马瑞
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一种双层堆叠式差分微波带通滤波器
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CN201811482168.5
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2020-11-10
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刘晓贤;朱樟明;刘阳;卢启军;尹相坤;杨银堂
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一种耦合式宽带微带到介质集成波导的过渡结构
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CN201910458132.1
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2020-11-10
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张涛;朱樟明;卢启军;尹湘坤;刘阳;刘晓贤
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全差分高线性度电压控制衰减器
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CN201910732715.9
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2020-11-10
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于欣炜;李迪;杨毅;甘晓文;李振国;乌恒洋
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用于锁相环的电荷泵电路
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CN201711286919.1
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2020-11-17
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刘帘曦;高少璞;沐俊超;朱樟明;杨银堂
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三维异质集成系统及其制作方法
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CN201810186665.4
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2020-11-17
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马晓华;郝跃;赵子越;祝杰杰;易楚朋;陈伟伟
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锁相环电路
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CN201810723325.0
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2020-11-17
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朱樟明;周荣;刘术彬;黄胜;刘帘曦
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一种HEMT开关器件
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CN201811003853.5
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2020-11-17
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郑雪峰;陈轶昕;王士辉;李纲;马晓华;郝跃
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一种应用于ECG信号采集的低频全差分Gm-C滤波器
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CN201811427640.5
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2020-11-17
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刘帘曦;贺磊;张怡;华天源;朱樟明
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一种电光调制器、电光调制器的调制方法及制备方法
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CN201910267102.2
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2020-11-17
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王树龙;蔡鸣;张斯郁;王银娣;韩涛;刘红侠
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一种双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器
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CN201910490764.6
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2020-11-17
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刘晓贤;朱樟明;杨银堂;刘阳;卢启军;尹湘坤
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一种LED芯片的制造方法及LED芯片
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CN201711382462.4
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2020-11-24
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胡辉勇;杨佳音;苗渊浩;舒斌;王斌;宋建军;宣荣喜
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一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法
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CN201810466984.0
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2020-11-24
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贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强
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一种基于机器学习的RFID应答信号帧同步系统及方法
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CN201910628561.9
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2020-11-24
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彭琪;林祥川;李小明;包军林;刘伟峰;庄奕琪
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高增益大线性动态范围跨阻放大器
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CN201710828960.0
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2020-12-01
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刘学邦;马瑞;刘帘曦;朱樟明
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一种基于SoC FPGA的高动态视频处理系统
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CN201810232884.1
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2020-12-01
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赖睿;陶海洋;章刚玄;岳高宇;官俊涛;徐昆然
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一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路
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CN201811048611.8
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2020-12-01
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张艺蒙;徐帅;吕红亮;宋庆文;汤晓燕
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一种双异质结和复合钝化层的IMPATT二极管及其制作方法
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CN201811558022.4
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2020-12-01
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杨林安;李秀圣;马晓华;郝跃
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一种应用于全数字锁相环的数字控制振荡器
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CN201811613544.X
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2020-12-01
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朱樟明;黄胜;刘术彬;丁瑞雪;刘帘曦;刘马良
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一种基于数字逻辑实现的频移高斯脉冲产生电路
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CN201910502090.7
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2020-12-01
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朱樟明;刘马良;高吉;肖金海;杨银堂
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一种基于电容电流反馈控制的BUCK电路
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CN201910181485.1
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2020-12-08
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张艺蒙;王茂林;贾仁需;宋庆文;汤晓燕;张玉明
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一种自适应导通电阻的有源二极管
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CN201711137122.5
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2020-12-15
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刘帘曦;成江伟;华天源;朱樟明;杨银堂
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GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件
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CN201810433595.8
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2020-12-15
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马晓华;祝杰杰;马咪;杨凌;侯斌
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一种应用于心电信号采集的模拟前端电路
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CN201910785976.7
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2020-12-22
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朱樟明;刘怡;张程高;王靖宇;刘术彬;刘帘曦
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一种用于生物电检测的低噪声放大器
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CN201910507488.X
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2020-12-22
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李娅妮;张腾飞;王硕;朱樟明;杨银堂
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一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质
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CN201811488761.0
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2020-12-29
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李跃进;高成楠;王松松;史阳楠;卢启军
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一种基于小波分解卷积神经网络的图像条带噪声抑制方法
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CN201811497201.1
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2020-12-29
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官俊涛;赖睿;刘泽胜;徐昆然;李奕诗;王东
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一种基于硅通孔互连的高密度三维集成螺旋电感器
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CN201910120311.4
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2020-12-29
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尹湘坤;朱樟明;杨银堂;李跃进;丁瑞雪
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