中心概况

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宽禁带半导体国家工程研究中心(以下简称“中心”)是2019年国家发改委批复建设的我国半导体领域关键工程之一,由西安电子科技大学承担建设。是我国开展以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代新型半导体技术研究开发、成果转化、人才培养、科技合作与交流的国家科技创新基地。担负在宽禁带半导体领域打破发达国家技术封锁、自主创新突破发展并推动行业技术发展提升的重要使命。

中心科研工作发端于郝跃教授团队自上世纪九十年代以来引领的宽禁带半导体理论与技术研究,迄今已历经30余年的长期积累。创建了我国第三代半导体氮化镓外延生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系,实现了我国在该领域从核心设备、材料到器件的重大原始创新,部分成果达到国际领先水平,技术成果已成功应用于我国重大装备和重点经济民生工程。

研发设施方面,包括2000平米超净实验室,以及兼容4到6英寸的宽禁带半导体器件电路研发工艺线,具备成套技术工程化和小批量试制能力。大型仪器设备近300台套。先进射频器件研发能力覆盖微波和毫米波波段,接近太赫兹频段。GaN高性能射频器件功率附加效率自2011年以来持续引领世界纪录。

产业支撑方面,中心建设了高标准公共服务和产业支撑体系,与中国电科、中国航天等科研院所,华为、中兴等行业领军企业开展了领域共性关键技术联合攻关。提供典型样片公共加工和专业测试服务,提供行业专项测试服务超过 2万人次,技术服务企业超过40余家。科技成果辐射到常州(光电器件)、绍兴(功率器件)、广州(射频半导体)、芜湖(宽禁带车规半导体器件)等区域,持续推动产业链培育和关键技术提升发展。

人才培养方面,打造了宽禁带半导体产学融合人才培养基地,年均培养本科生500余人,硕博士450余人,微电子专业人才培养规模全国第一,为行业输送了大批高质量创新型人才。

科研团队方面,中心组建了一支由郝跃院士领衔的,人才结构合理、专业技术面广、技术能力强的高水平科研团队。团队著名专家学者有欧阳晓平院士、中国科学院外籍院士M.Jamal Deen教授、诺贝尔物理学奖获得者中村修二教授等,另有20多位高层次青年人才。团队总人数175人,由西安电子科技大学112人以及合作单位的63名骨干成员组成。

中心坚持“应用导向、创新驱动”,围绕国家重大战略部署,瞄准国际宽禁带半导体前沿技术,聚焦工程重大技术问题和行业实际发展需求,深化“产-学-研-用”合作,与华为、中兴、航天科工等单位建立了联合研究中心,与西安高新区、西电集团联合成立了“陕西半导体先导技术中心”。立足陕西,辐射全国,团结协作,奋发创新,为陕西“秦创原”以及推动我国宽禁带半导体器件和集成电路行业提升发展持续贡献科技力量。


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