创新成果

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氮化镓外延片作为研制氮化镓器件的基础材料,性能优良,缺陷少,均匀性好,是生产氮化镓LED和氮化镓高效率微波功率器件的核心外延材料。为实现高质量的GaN外延材料,开发了脉冲MOCVD生长技术,通过生长时的Al源和N源分时交替通入模式,减少预反应,实现高结晶质量的AlN成核层,获得了高质量的GaN材料;另外对于Si基大尺寸GaN异质结材料生长,创新采用结构控制和调节材料生长过程中的应力,减小失配引起的翘曲,实现高质量生长。
        突破SiC外延材料均匀性控制技术、缺陷控制技术、多层界面控制技术、材料系统表征技术等多项关键技术,成功实现了在SiC的(0001)面偏4°衬底上的可控掺杂。掌握n型、p型及非故意掺杂的大范围掺杂浓度精确控制技术,厚度非均匀性小于2%,掺杂非均匀性小于5%。开展更大尺寸SiC外延材料工艺技术研究。

        实现在单个衬底上实现尺寸达10mm x10mm x1.5mm单晶金刚石的稳定生长,质量达到元素六电子级单晶产品水平,生长速率大于20μm/h



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