创新成果

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        碳化硅材料具有高功率、耐高温以及抗辐照等优良特性,这些特性决定了SiC基电力电子器件在高压、高温、高效率、高频率等应用领域具有极大的优势,将极大地提高现有能源的转换效率。不仅推进固态电子器件的更新换代,同时能在输电,不间断电源,开关电源,工业控制等传统工业领域广泛应用,另外在太阳能、风能等新能源领域也具有广阔的应用前景。中心围绕碳化硅(SiC)电力电子器件设计和芯片关键工艺应用开展了一系列的课题研究,完成了碳化硅(SiC)高功率器件仿真技术、碳化硅(SiC)材料局部掺杂控制技术、电场调制终端保护技术、栅介质界面改善技术等方面的理论研究突破和关键技术创新。代表性成果包括:1.2kV/3.3kV/5kV SiC JBS器件; 2kV SiC BJT器件;1.2kV 7.5A SiC VDMOSFET器件等。2019年实现1200V 150A SiC MOSFET器件。


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