创新成果

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        针对氮化镓微波毫米波器件的高频增益降低、高电压下可靠性降低及减小沟道电阻和泄漏电流等问题,提出并实现了氮化镓微波功率器件的低损伤凹槽绝缘栅技术,研制的绝缘栅器件较传统的肖特基器件栅极泄漏电流降低3个数量级,其微波功率附加效率达到85%(2015年),为当时国际最高水平;对高电压导致的栅极泄漏电流和电流崩塌难题,首次将场板结构用于氮化镓器件,发明了新型浮空场板结构,使峰值电场强度降低30%以上,将工作电压从常规28V提高到50V以上,显著提升了器件工作效率;AlGaN/GaN因压电极化效应使器件难以工作在亚毫米波以上频段,为此首次提出刻蚀后低温表面修复技术,采用低温N2O等离子体处理表面,使100nm沟道长度器件关态电流降至2×10-9A/mm,最大振荡频率fmax319 GHz,在30GHz功率附加效率达51%。相关成果获国家科学技术奖。

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