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第五届MOS-AK器件模型国际学术会议成功举办
编辑:  文章来源:  发布时间:2021-08-17  阅读次数:191

(通讯员 祝杰杰 郑雪峰2021811至13日,第五届MOS-AK器件模型国际学术会议线上成功举办。本次会议由西安电子科技大学主办西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体国家工程研究中心、宽带隙半导体重点实验室、宽禁带半导体与微纳电子学学科创新引智基地共同承办弘模半导体技术上海有限公司协办。大会顾问委员会主席由郝跃院士担任,会议组委会主席由西安电子科技大学微电子学院副院长、宽禁带半导体国家工程研究中心主任马晓华教授担任。

 

线上学术会议参会人员云合影及会议直播

会议日程共分为GaASM-HEMT器件模型培训(811日)和半导体器件模型研讨会(812日至13日)两个阶段,获得了来自华美博科技(北京)有限公司、上海概伦电子股份有限公司、电子科技大学、北京华大九天科技股份有限公司、苏州珂晶达电子有限公司等赞助单位的大力支持。

 

大会组委会主席、西安电子科技大学微电子学院副院长马晓华教授致开幕词

 

 

国外学者作大会邀请报告

 

 

国内学者作大会邀请报告

本次MOS-AK器件模型会议包括2个培训报告和21个主题研讨报告,其中包含来自比利时IMEC、德国弗劳恩霍夫研究所、上海概电子股份有限公司、西安电子科技大学等单位学者带来的8个大会邀请报告。本次会议报告和论文的主题涵盖宽禁带半导体GaNSiC器件、射频器件建模与提参、先进CMOS可靠性与紧凑模型、光电显示与器件模型、模型相关材料与器件可靠性等领域。

 

宽带隙半导体重点实验室组织师生分小组参会分会场

 

 

中科院微电子研究所(左)中科汉韵(右)单位参加线上会议

 

据统计,本次会议规模创历届新高。共有来自国内外的60余家高校、科研院所及企业通过腾讯会议或直播平台参会,线上会议和在线直播显示先后有300多个账号登入参会,实际参会人数估计超过500,参会人员包括国内外业内各学界和企业专家、青年学者和学生等。

MOS-AK器件模型学术会议是由紧凑模型研讨会发展而来的国际会议,自2016年首届MOS-AK学术会议以来每年在国内举办一次,其中2020年会议因疫情原因推迟至2021年举行。该会议宗旨是为半导体器件与电路模型相关领域的专家学者、研究人员、工程师提供一个相互交流学习的平台,使得大家可以获得该领域技术发展、电路设计、CAD工具等方面的最新信息。因此,该会议可以作为半导体设计产业和半导体制造产业的桥梁,让器件模型产业真正为国内的半导体产业服务,为国内设计公司的产品获得更好的核心价值和更高的附加价值。此次会议提升了西电在先进半导体器件模型领域的国际影响力,加强了产学研用领域的合作交流,促进了国际国内在半导体器件建模方面的发展。

参加本次会议的专家学者有MOS-AK协会创始人Wladek Grabinski博士IMEC FEOL可靠性团队科技总监Ben Kaczer博士、鲁汶大学高级研究员Martin Rack博士、暨南大学微电子学院院长麦耀华教授、西安电子科技大学微电子学院副院长马晓华教授、西安电子科技大学郑雪峰教授、电子科技大学徐跃杭教授、中科院微电子所硅器件中心卜建辉研究员、弘模半导体技术(上海)有限公司执行董事张珉博士、苏州珂晶达电子有限公司执行董事兼总经理沈忱博士等。

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