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孙静:成果获IEEE系列期刊多家报道
编辑:  文章来源:  发布时间:2020-05-08  阅读次数:808


模仿人脑神经网络的类脑神经形态器件可构建高智能、低功耗类脑芯片。有记忆功能的非线性电阻-忆阻器,能够用来模拟生物突触和神经元的信息处理功能,是实现人工神经网络的理想选择。另一方面,物理瞬态电子是指电子器件或者系统在完成它的使命后可物理消失。将可随需消失的瞬态材料与忆阻器件结合起来,可实现神经网络的安全应用。例如,当信息安全受到威胁时,可以将瞬态芯片设备扔进水里,同时这样的设计还可以产生更环保的电子器件。近日,团队在该领域取得重要进展,成功设计了一种可溶于水的神经形态忆阻器件。

课题组提出一种水辅助转印方法,将采用传统微纳加工技术制备的器件阵列转移到瞬态基底上,得到了一种可物理消失的模拟神经元间信号传导的忆阻器(30分钟内可在水中完全溶解),可以很好的实现神经突触的短期可塑性,这为实现安全的神经形态计算应用打下了基础。


瞬态忆阻器实现安全神经计算的示意图

器件阵列照片及其在水中溶解过程

孙静,先进材料与纳米科技学院2015级博士研究生,师从马晓华教授。跟随团队的王宏副教授开展物理瞬态忆阻器方面的研究工作。该团队设计研发了一种模拟神经元间信号传导的可溶性忆阻器,相关成果“Physically Transient Memristive Synapse with Short-Term Plasticity Based on Magnesium Oxide”发表在IEEE Electron Device Letters期刊上;被IEEE (国际电气与电子工程师协会)的旗舰出版物IEEE Spectrum特别报道。

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