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优秀学子风采
编辑:  文章来源:  发布时间:2020-04-28  阅读次数:320
        (1)2015级博士生彭悦,师从郝跃院士。2016年跟随团队开展FeFET材料和器件的研究工作,取得了突破性的研究成果,创新性提出并实现了新型纳米晶铁电材料(Nanocrystal-Embedded-Insulator,NEI)FeFET。该研究工作得到国家优秀青年科学基金项目和国家自然科学基金重点项目的资助。该研究工作不仅揭示了NEI铁电特性,并且还相继报道了作者实现的2.1nm和3.6nmNEIFeFET存储器件和负电容器件,其中负电容晶体管亚阈值摆幅突破了60mV/decade物理极限。该材料铁电参数的灵活可调性将有助于进一步揭示负电容晶体管的真正工作机理。该研究工作发表在IEEE Electron Device Letters 2019年第一期,并选为封面文章突出报道。

        (2)2015级博士生孙静,师从马晓华教授。跟随团队开展物理瞬态忆阻器方面的研究工作,设计研发了一种模拟神经元间信号传导的可溶性忆阻器。将采用传统微纳加工技术制备的器件阵列转移到瞬态基底上,得到了一种可物理消失的模拟神经元间信号传导的忆阻器(30分钟内可在水中完全溶解),可以很好的实现神经突触的短期可塑性,这为实现安全的神经形态计算应用打下了基础。相关成果发表在IEEE Electron Device Letters期刊上,并被IEEE的旗舰出版物IEEE Spectrum特别报道。

        (3)博士生张倩妮,师从张春福教授,跟随团队开展钙钛矿太阳能电池研究。首次提出在一步溶液法薄膜制备过程中使用光照工艺辅助CsPbIBr2钙钛矿薄膜结晶,从而得到高质量无机钙钛矿薄膜。基于此薄膜制备的碳基全无机钙钛矿太阳能电池效率可达8.60%,并具有1.283 V的高开路电压值,为同期最高值。本工作为进一步提升稳定、低成本,简便工艺的CsPbIBr2太阳能电池效率提供了新的思路。该研究工作发表在国际知名期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。
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